韓美半導(dǎo)體（Hanmi Semiconductor ）宣布，公司已鞏固其在HBM（高帶寬存儲器）市場熱壓鍵合機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并將積極響應(yīng)市場對混合鍵合技術(shù)的需求。該技術(shù)預(yù)計(jì)將于2029年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

韓美半導(dǎo)體表示，公司將于年內(nèi)推出用于下一代HBM生產(chǎn)的“第二代混合鍵合機(jī)”原型機(jī)，并開始與客戶合作。此外，公司還計(jì)劃于明年上半年啟動其混合鍵合機(jī)工廠的運(yùn)營。

此前，韓美半導(dǎo)體于2020年搶先競爭對手推出了“用于HBM生產(chǎn)的第一代混合鍵合機(jī)”，從而積累了核心技術(shù)和驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)。第二代設(shè)備融合了第一代設(shè)備的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)和基礎(chǔ)技術(shù)，在納米級精度、工藝穩(wěn)定性、良率等方面進(jìn)一步提升。韓美半導(dǎo)體還與多家韓國半導(dǎo)體設(shè)備公司在等離子體、清洗和沉積技術(shù)方面開展緊密合作，以推進(jìn)混合鍵合技術(shù)的發(fā)展。

混合鍵合技術(shù)直接將芯片和晶圓的銅互連線鍵合在一起。它無需傳統(tǒng)的焊球，即可在降低封裝厚度的同時，提升散熱性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，因此是20層及以上高堆疊HBM封裝的必要技術(shù)。

韓美半導(dǎo)體也在加速建設(shè)下一代設(shè)備生產(chǎn)所需的基礎(chǔ)設(shè)施。該公司自去年起在仁川廣域市西區(qū)朱安國家產(chǎn)團(tuán)建設(shè)一座混合鍵合工廠，總投資1000億韓元（約合3400萬美元），建筑面積14570平方米，地上兩層，預(yù)計(jì)將于明年上半年竣工。

工廠內(nèi)部將建成一個與半導(dǎo)體前端工藝所用潔凈室級別相當(dāng)?shù)捻敿墶?00級”潔凈室。該潔凈室將采用先進(jìn)的空氣處理技術(shù)，將空氣中的粉塵從上層向下輸送，并通過墻壁和地板立即吸走，從而營造出適合納米級超精密工藝的潔凈環(huán)境。（校對/趙月）