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算力引爆供需博弈 高盛:存儲器超級周期預(yù)計持續(xù)至2027年

2026-04-15 來源:鉅亨網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 存儲器 供需博弈 存儲周期 HBM

據(jù)格隆匯報導(dǎo),全球科技巨頭爭奪算力的背后,存儲器芯片正上演一場史詩級的供需博弈。由人工智慧 (AI) 算力需求引爆的存儲器芯片超級周期,正以前所未有的強度席卷全球產(chǎn)業(yè)鏈。

高盛也在近期發(fā)布報告,表示全球存儲器正面臨史上最嚴重的短缺,全球產(chǎn)能至少已經(jīng)鎖死至 2027 年。

價格狂飆與供需失衡

存儲器芯片市場的價格曲線正呈現(xiàn)垂直上沖態(tài)勢。DDR5 一季度的實際漲幅比市場預(yù)期高出 23 個百分點,且研究機構(gòu)預(yù)測二季度將維持 37% 的高增長。隨著 DDR5 成為高端數(shù)據(jù)中心與 AI 服務(wù)器的標(biāo)配,存儲器芯片正正式步入“奢侈品”行列。

這種價格暴漲源于供應(yīng)短缺的自我強化:未能滿足的需求會自動“滾動”至后續(xù)季度,進一步加劇緊張局面,傳統(tǒng)的行業(yè)周期律已然失效。

長期協(xié)議改寫游戲規(guī)則

面對不確定的供應(yīng)環(huán)境,超大規(guī)模云服務(wù)商正與供應(yīng)商簽署 3 到 5 年的長期協(xié)議 (LTA),計劃鎖定 50% 以上的采購量。此舉對采購方而言可確保算力組件供應(yīng)穩(wěn)定并平滑價格波動;對供應(yīng)商如三星、SK 海力士而言,則保障了未來數(shù)年的產(chǎn)能與利潤,使其能從追逐短期波動轉(zhuǎn)向穩(wěn)定的盈利模式。

HBM:AI 皇冠上的明珠

在這場盛宴中,高帶寬內(nèi)存 (HBM) 成為巨頭競相爭奪的戰(zhàn)略資源。預(yù)計到 2026 年,三星將占據(jù) 60% 的 HBM 市場份額,SK 海力士占 30%。為了搶占下代 HBM4 的技術(shù)高地,廠商正將產(chǎn)能從 NAND 轉(zhuǎn)向 DRAM,這也導(dǎo)致了 NAND 閃存供應(yīng)的“被動式”緊張。

周期延長與潛在隱憂

由英偉達 GPU 等產(chǎn)品驅(qū)動的指數(shù)級需求,預(yù)計將使 DRAM 的上行周期持續(xù)至 2027 年第四季度。屆時,儲存市場規(guī)模有望沖擊 1.2 兆美元。

然而,繁榮之下仍有隱憂:需求高度集中于少數(shù)云巨頭,且 HBM 價格的過快上漲 (2027 年漲幅或達 40%) 可能觸及客戶的可負擔(dān)極限。