摩根士丹利證券（大摩）在最新釋出的臺(tái)積電個(gè)股報(bào)告中預(yù)期，4月16日臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)可能上調(diào)2026年?duì)I收增長(zhǎng)率，從接近30%調(diào)高到約35%，2026–2028年三年期資本支出展望，總額也將升至約2000億美元。

大摩重申對(duì)于臺(tái)積電、家登與萬(wàn)潤(rùn)優(yōu)于大盤”評(píng)級(jí)。臺(tái)積電ADR 4月15日美股早盤平盤附近震蕩。

這是大摩本月以來(lái)第三份臺(tái)積電報(bào)告，主要基于臺(tái)積電4月10日公布的第一季度營(yíng)收超出預(yù)期，從原本季增4%上修到8%。依據(jù)大摩的晶圓廠產(chǎn)能利用率分析，臺(tái)積電第二季度營(yíng)收可望季增5-10%。

基于臺(tái)積電上半年可望交出不錯(cuò)的營(yíng)收，大摩不排除臺(tái)積電在今日法說(shuō)時(shí)上調(diào)全年預(yù)估營(yíng)收。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，AI相關(guān)半導(dǎo)體（如XPU、網(wǎng)通、CPU等）需求強(qiáng)勁，足以抵消智能手機(jī)半導(dǎo)體的疲弱。

大摩認(rèn)為，臺(tái)積電資本支出將是法說(shuō)新焦點(diǎn)。資本支出可能是臺(tái)積電未來(lái)三到五年增長(zhǎng)率的強(qiáng)勁指標(biāo)，對(duì)全球半導(dǎo)體設(shè)備股意義重大。大摩預(yù)期，臺(tái)積電將在法說(shuō)上提出未來(lái)三年資本支出展望，總額達(dá)2000億美元，包括2026年的550億美元、2027年的650億美元、2028年的800億美元。

大摩上周才提出臺(tái)積電法說(shuō)三情境，當(dāng)時(shí)預(yù)估臺(tái)積電未來(lái)三年資本支出總額為1900億美元，與最新預(yù)估版本差異在于，上周預(yù)估2028年資本支出達(dá)700億美元。大摩目前認(rèn)為，臺(tái)積電今日法說(shuō)可能從大摩的基準(zhǔn)情境邁向樂(lè)觀情境。

大摩之前建議在臺(tái)積電法說(shuō)前逢低累積部位，因?yàn)榇竽τ^察到，臺(tái)積電正在提高2027年極紫外光（EUV）的訂單，以應(yīng)對(duì)更強(qiáng)勁的3nm需求，這些需求主要來(lái)自高頻寬存儲(chǔ)（HBM）底層晶粒、LPU、CPU等。

大摩也提到，臺(tái)積電是否應(yīng)該將計(jì)算晶粒提供給英特爾進(jìn)行EMIB?T封裝，成為辯論重點(diǎn)。大摩已看到一些臺(tái)積電客戶正在評(píng)估英特爾的EMIB-T，因?yàn)镃oWoS最多只能支持9.7倍光罩尺寸且產(chǎn)能吃緊，但EMIB-T能支持更大芯片尺寸且成本也更低。不過(guò)，大摩認(rèn)為，臺(tái)積電仍會(huì)嘗試通過(guò)不同技術(shù)擴(kuò)展封裝尺寸，以滿足客戶需求。

大摩看好臺(tái)積電的同時(shí)，也看多臺(tái)積電供應(yīng)鏈兩家廠商，觀察到家登的EUV光罩盒需求持續(xù)增加，且萬(wàn)潤(rùn)擴(kuò)張3D IC封裝產(chǎn)能。大摩去年底已將家登目標(biāo)價(jià)從340元新臺(tái)幣上調(diào)到380元新臺(tái)幣，上周則將萬(wàn)潤(rùn)目標(biāo)價(jià)大幅上調(diào)86%到1280元新臺(tái)幣。