三星計劃5月向英偉達交付HBM4E芯片樣品

三星電子計劃最早于5月生產出其下一代高帶寬存儲器HBM4E的首批樣品，并在內部驗證后將芯片交付給英偉達。

該公司正在加速開發其第七代HBM產品，以保持在快速增長的人工智能（AI）內存市場的強勁勢頭。三星計劃在向客戶交付樣品之前，先完成達到預期性能水平的首批樣品。

三星晶圓代工部門預計將于5月中旬生產出HBM4E的邏輯芯片樣品。這些組件隨后將被轉移到內存部門，與DRAM封裝。完成的樣品將在交付給英偉達之前進行內部性能評估。

三星此前曾在3月GTC 2026大會上展示了HBM4E芯片的實物。然而，業內人士普遍認為該芯片更像是演示樣品，而非符合商業性能要求的產品。該芯片預計每引腳傳輸速度可達16Gbps，帶寬可達4.0TB/s，較HBM4有所提升。

三星正力圖鞏固其在HBM4量產領域的先發優勢，并采用比競爭對手更先進的工藝技術。據業內人士透露，三星預計將采用4nm制程工藝制造邏輯芯片，并采用10nm(1c級)DRAM 芯片。

競爭對手SK海力士也在加速HBM4E的研發，計劃采用更先進的DRAM和邏輯芯片工藝。

英偉達Vera Rubin AI平臺（將使用HBM4和HBM4E）的生產計劃已經進行一些調整，但三星正在加緊推進，以避免在HBM3E市場重蹈覆轍。（校對/趙月）