企業(yè)動態(tài)

NS8002D 單聲道 AB 類音頻功率放大器

NS8002D 是一款 AB 類橋式輸出音頻功率放大器。其應(yīng)用電路簡單，只需極少數(shù)外圍器件。輸出不需要外接耦合電容或上舉電容和緩沖網(wǎng)絡(luò)，更適合用于便攜系統(tǒng)。 NS8002D 可以通過控制 SD 引腳進入低功耗關(guān)斷模式，從而減少功耗。增益帶寬積高達 2.5MHz且單位增益穩(wěn)定。通過配置外圍電阻可以調(diào)整放大器的電壓增益，方便應(yīng)用。 NS8002D 提供 SOP8 封裝，額定的工作溫度范圍為-40℃至 85℃。

2026-02-05 787 關(guān)鍵詞： NS8002D 音頻功率放大器電壓范圍輸出功率
SC4D50120H-JSM 碳化硅肖特基二極管

在新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域飛速發(fā)展的今天，功率器件的性能直接決定了系統(tǒng)的效率、可靠性與小型化水平。傳統(tǒng)硅基器件逐漸難以滿足高頻、高溫、高壓場景下的嚴苛需求，而碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的核心代表，正以其卓越的物理特性重塑功率電子行業(yè)格局。杰盛微半導(dǎo)體深耕功率器件領(lǐng)域多年，憑借深厚的技術(shù)積累與精準的市場洞察，重磅推出SC4D50120H-JSM碳化硅肖特基二極管。這款產(chǎn)品集零恢復(fù)電流、高阻斷電壓、寬溫工作等多重優(yōu)勢于一身，為各類高端電力電子設(shè)備提供了高效可靠的解決方案，堪稱功率系統(tǒng)升級的“性能利器”。

2026-02-05 978 關(guān)鍵詞：碳化硅肖特基二極管功率器件二極管
SC6D10170H-JSM 碳化硅肖特基二極管

在新能源、工業(yè)控制等高端電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）肖特基二極管憑借高效、耐高溫、高頻的核心優(yōu)勢，成為提升系統(tǒng)性能的關(guān)鍵器件。杰盛微半導(dǎo)體深耕寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，重磅推出SC6D10170H碳化硅肖特基二極管，精準對標行業(yè)標桿型號C4D1017OH，在電氣性能、可靠性、應(yīng)用適配性等方面實現(xiàn)全面突破，為各類高要求電力電子設(shè)備注入強勁動力！

2026-02-05 871 關(guān)鍵詞：碳化硅肖特基二極管 SC6D10170H 杰盛微半導(dǎo)體
JSM741 差動霍爾速度傳感器

在汽車產(chǎn)業(yè)電動化、智能化的浪潮下，車載傳感器作為車輛的“感知神經(jīng)”，是保障行車安全、實現(xiàn)智能控制的核心基礎(chǔ)。其中，車輪速度傳感器作為ABS、ESP、自動變速器等關(guān)鍵系統(tǒng)的核心元器件，需在高低溫、強電磁干擾、劇烈振動等嚴苛車載環(huán)境中，持續(xù)穩(wěn)定輸出精準的轉(zhuǎn)速數(shù)據(jù)，技術(shù)門檻與可靠性要求極高。杰盛微深耕車載半導(dǎo)體領(lǐng)域，憑借自主研發(fā)實力與多年技術(shù)沉淀，推出JSM741差動霍爾速度傳感器芯片，全面對標TLE4941，在核心性能、技術(shù)架構(gòu)、應(yīng)用適配等方面實現(xiàn)精準匹配，更結(jié)合本土產(chǎn)業(yè)需求完成創(chuàng)新升級，以國產(chǎn)芯硬實力為汽車電子行業(yè)提供高性能、高可靠性、高性價比的無縫替代解決方案，推動車載核心傳感器的國產(chǎn)化替代進程。

2026-02-05 856 關(guān)鍵詞： JSM741 車載傳感器國產(chǎn)化替代
單片機芯片怎么選？從參數(shù)到場景，一文讀懂選型秘籍！

選單片機，核心是 “需求 - 參數(shù) - 場景” 精準匹配：成本敏感就盯 8 位低價芯片，工業(yè)場景優(yōu)先可靠性，電池供電死磕低功耗。跟著這篇攻略走，從參數(shù)到場景全吃透，再也不用為選型發(fā)愁！

2026-02-05 1100 關(guān)鍵詞：單片機芯片選型參數(shù) 選型步驟
IAR攜手極海半導(dǎo)體，高效開發(fā)全球首款基于Cortex－M52的G32R501實時控制MCU，賦能中國嵌入式創(chuàng)新

全球領(lǐng)先的嵌入式開發(fā)工具供應(yīng)商IAR與中國知名MCU供應(yīng)商極海半導(dǎo)體聯(lián)合正式宣布，IAR Embedded Workbench for Arm的最新版本現(xiàn)已全面支持極海G32R501系列實時控制MCU。G32R501是全球首款基于Arm? Cortex?-M52處理器雙核架構(gòu)的實時控制MCU，支持Arm Helium?矢量擴展（M-profile Vector Extension, MVE）和極海自研的紫電數(shù)學(xué)指令擴展單元等創(chuàng)新特性，可廣泛適用于新能源光伏、工業(yè)自動化、新能源汽車、商業(yè)電源等高端應(yīng)用領(lǐng)域。

2026-02-05 1142 關(guān)鍵詞： IAR 極海半導(dǎo)體 G32R501 實時控制MCU 嵌入式開發(fā)
JSM9N20D 200V N 溝道 MOSFET

在新能源、工業(yè)控制、消費電子等領(lǐng)域飛速發(fā)展的當下，功率器件作為電路核心“動力樞紐”，其性能上限直接決定了終端產(chǎn)品的能效、穩(wěn)定性與使用壽命。杰盛微半導(dǎo)體深耕功率器件研發(fā)與制造多年，始終以技術(shù)創(chuàng)新為核心驅(qū)動力，今日正式推出200V N溝道MOSFET——JSM9N20D。這款凝聚了杰盛微核心技術(shù)的產(chǎn)品，憑借快速開關(guān)、高可靠性、優(yōu)異熱性能等多重優(yōu)勢，專為開關(guān)模式電源（SMPS）、不間斷電源（UPS）、功率因數(shù)校正（PFC）等關(guān)鍵場景量身打造，為電力電子行業(yè)提供高性能、高性價比的解決方案。

2026-02-04 740 關(guān)鍵詞：功率器件 JSM9N20D 溝道MOSFET
四腳碳化硅HSCH132M120：封裝革命、高耐壓優(yōu)勢與高壓應(yīng)用全解析

隨著新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)變頻等高壓大功率應(yīng)用的快速增長，傳統(tǒng)硅基功率器件在效率、功率密度和溫升控制等方面逐漸面臨瓶頸。碳化硅作為新一代半導(dǎo)體材料，憑借其更寬的能量帶隙、更好的導(dǎo)熱性和更高的耐壓強度等天然優(yōu)勢，正在改變功率電子行業(yè)。在這一技術(shù)變革中，合科泰電子推出了四腳封裝的碳化硅MOSFET HSCH132M120（1200V/132A）。該產(chǎn)品以其獨特的封裝設(shè)計、出色的開關(guān)性能和可靠的

2026-02-04 1115 關(guān)鍵詞：碳化硅MOSFET 四腳封裝高壓應(yīng)用技術(shù)參數(shù) 市場選型
JSM9N20C 200V N 溝道 MOSFET

在電力電子技術(shù)日新月異的當下，MOSFET作為承載能量轉(zhuǎn)換與電路控制的核心功率器件，其性能表現(xiàn)直接決定了終端產(chǎn)品的能效水平、運行穩(wěn)定性與使用壽命。從工業(yè)自動化生產(chǎn)線的核心控制單元，到消費電子的高效電源適配器；從新能源領(lǐng)域的小型逆變器，到汽車電子中的電機驅(qū)動系統(tǒng)，高壓MOSFET的品質(zhì)與可靠性始終是行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的關(guān)鍵支撐。

2026-02-04 760 關(guān)鍵詞：杰盛微半導(dǎo)體 JSM9N20C MOSFET 低阻高效
JSM9N20F 200V N 溝道 MOSFET

在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域高速發(fā)展的今天，功率半導(dǎo)體器件作為能量轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，其性能直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與市場競爭力。杰盛微半導(dǎo)體（JSMSEMI）深耕功率器件賽道多年，以技術(shù)創(chuàng)新為內(nèi)核，重磅推出JSM9N20F 200V N溝道MOSFET。這款凝聚了杰盛微核心研發(fā)實力的旗艦級產(chǎn)品，憑借全維度均衡的性能表現(xiàn)，為多場景電力電子應(yīng)用提供一站式解決方案，重新定義中高壓MOSFET的性能標桿。

2026-02-04 911 關(guān)鍵詞：溝道MOSFET JSM9N20F MOSFET 功率半導(dǎo)體