削弱電磁干擾 (EMI) 是所有電子系統(tǒng)中存在的問題。許多規(guī)范將電磁兼容性 (EMC) 與適應(yīng)規(guī)定屏蔽下干擾功率譜級的能力相關(guān)聯(lián),恰恰證明了這一點 [1]。尤其是高頻開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器,開關(guān)換向過程中存在的高轉(zhuǎn)換率電壓和電流可能在穩(wěn)壓器自身(EMI 源)以及附近的敏感電路(受 EMI 干擾的設(shè)備)中產(chǎn)生嚴(yán)重的傳導(dǎo)和輻射干擾。本系列文章 [1-8] 的第 5 部分和第 6 部分回顧了多種適用于非隔離穩(wěn)壓器設(shè)計的 EMI 抑制技術(shù)。第 7 部分和第 8 部分回顧了隔離設(shè)計中的共模 (CM) 噪聲及其抑制技術(shù)。
一般而言,遵守電磁標(biāo)準(zhǔn)對于開關(guān)電源愈發(fā)重要,這不僅局限于總光譜能量過大,更多的原因是能量集中在基本開關(guān)頻率及其諧波的特定窄帶中。為此,第 9 部分提出通過擴(kuò)頻調(diào)頻 (SSFM) 技術(shù)將頻譜能量分配到頻譜中,使基波和諧波噪聲峰值幅值變得平整。圖 1 所示的擴(kuò)頻效應(yīng)可作為本系列文章前幾部分中介紹的 EMI 抑制技術(shù)的補(bǔ)充降噪方法。
圖 1:擴(kuò)頻效應(yīng)