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集成電路
SAMSUNG/三星內存芯片K4U6E3S4AM-GUCL 為下一代移動設備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封裝
價格：電微13928429281
SAMSUNG/三星內存芯片K4U6E3S4AM-GHCL 為下一代移動設備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+105 LPDDR4X 200FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內存芯片K4U6E3S4AM-GFCL 為下一代移動設備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+95 LPDDR4X 200FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內存芯片K4U2E3S4AA-GUCL 為下一代移動設備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125 LPDDR4X 200FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內存芯片K4U2E3S4AA-GFCL 為下一代移動設備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85 LPDDR4X 556FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內存芯片K4U8E3S4AD-GUCL 為下一代移動設備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-40~+125LPDDR4X 200FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內存芯片K4UCE3Q4AA-MGCL 為下一代移動設備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內存芯片K4UBE3D4AA-MGCL 為下一代移動設備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內存芯片K3UHAHA0AM-AGCL 為下一代移動設備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 556FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內存芯片K3UH5H50AM-JGCR 為下一代移動設備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 432FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內存芯片K4FHE3D4HM-MHCJ 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率3733Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內存芯片K4FHE3D4HM-MFCJ 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率3733Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封裝
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SAMSUNG/三星內存芯片K4FHE3D4HA-GUCL 數據傳輸速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封裝
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