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報道稱三星2nm工藝良率約為55%，高通或將選擇臺積電
韓國本土產4英寸GaAs工藝良率突破95%
三星宣布2030年量產1nm 與臺積電角逐下一代工藝主導權
三星2nm工藝良率突破60%，逼近臺積電
三星2nm工藝HBM5研發中，并代工生產4nm英偉達Groq 3 LPU
三星計劃將2nm工藝應用于HBM4E基礎芯片
英偉達或將重啟三星8nm工藝生產RTX 3060
SK海力士全球首發1c工藝LPDDR6，性能狂飆33%
全球首條35微米功率半導體超薄晶圓工藝及封裝測試在上海建成
廣州市工業和信息化局關于印發廣州市關于聚焦特色工藝半導體產業高質量發展的若干措施的通知
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