- 報道稱三星2nm工藝良率約為55%，高通或?qū)⑦x擇臺積電
- 傳三星2nm良率下滑“穩(wěn)定性成隱憂”！高通考慮轉(zhuǎn)單臺積電
- 韓國本土產(chǎn)4英寸GaAs工藝良率突破95%
- 三星2nm工藝良率突破60%，逼近臺積電
- 傳三星電子2nm良率已提升至50%，計劃2027年前實現(xiàn)晶圓代工業(yè)務盈利
- 三星2nm良率突破50%，計劃2027年實現(xiàn)代工業(yè)務盈利
- 英特爾Fab 52滿載月產(chǎn)能達4萬片晶圓，2027年良率達先進水平
- 三星4nm制程良率提升至60%~70%，獲美國AI公司超1億美元芯片訂單
- 英特爾18A良率顯著提升，先進封裝受益CoWoS“溢出效應”
- 消息稱三星2nm Exynos 2600芯片良率達60%
