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俄羅斯制定半導(dǎo)體發(fā)展計劃2030年實現(xiàn)量產(chǎn)28nm

2022-04-18 來源:網(wǎng)絡(luò)整理
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關(guān)鍵詞: 俄羅斯 半導(dǎo)體 芯片計劃

4月18日消息,由于面臨制裁而無法從常規(guī)供應(yīng)商處獲得芯片,俄羅斯正在擬定計劃,以重振其境況不佳的本地半導(dǎo)體制造業(yè),新芯片計劃涉及未來8年相當(dāng)大規(guī)模的投資。

據(jù)tomshardware報道,俄羅斯政府已經(jīng)制定了新的微電子發(fā)展計劃的初步版本,到2030年需要大約3.19萬億盧布(384.3億美元)的投資。據(jù)Cnews報道,這些資金將用于開發(fā)本土半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)、本土芯片開發(fā)、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施、本土人才的培養(yǎng)以及國產(chǎn)芯片和解決方案的營銷。

在半導(dǎo)體制造方面,俄羅斯計劃投入4200億盧布(50億美元)用于新制造技術(shù)的研發(fā)。俄羅斯的短期目標(biāo)之一是在今年年底前提高使用90nm制造技術(shù)的本地芯片產(chǎn)量,長期目標(biāo)是在2030年之前建立使用28nm節(jié)點的制造系統(tǒng),這是臺積電在2011年就實現(xiàn)的目標(biāo)。

該計劃將于2022年4月22日最終確定,并提交給總理正式批準(zhǔn)。