據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本將與美國方面合作，啟動該國本土2納米先進制程研發(fā)、制造設施建設。

日經(jīng)報道稱，可能的合作方式將是美日雙方企業(yè)合資成立新公司，或由日本企業(yè)獨自承擔基礎設施建設，經(jīng)產(chǎn)省將予以補貼。

根據(jù)雙方意向，聯(lián)合研發(fā)最早將在今年夏天啟動，2025-2027年間建成研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地。

目前，IBM與英特爾均在開展2納米工藝研發(fā)，此前日本經(jīng)產(chǎn)大臣曾到訪IBM先進工藝研發(fā)設施。

日經(jīng)分析稱，日本在半導體設備材料領域擁有強大實力，與美國芯片廠商合作可望優(yōu)勢互補，早日突破先進制程技術。