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SK 海力士壟斷高容量內(nèi)存市場:14nm級DDR5 產(chǎn)品良率已達 90%

2023-06-19 來源:IT之家
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關鍵詞: 三星 美光 半導體

6 月 19 日消息,SK 海力士幾乎已經(jīng)壟斷了快速增長的 DDR5 DRAM 市場。業(yè)內(nèi)認為,隨著三星電子和美光 DDR5 DRAM 的推遲,SK 海力士在這一領域的霸主地位將一直持續(xù)到明年。


《朝鮮日報》援引業(yè)界相關人士的話稱,SK 海力士 1a(注:第四代 10nm,屬于 14nm 級)DDR5 DRAM 產(chǎn)品良率高達 90%,遠高于競爭對手。


他表示,被認為是今年內(nèi)存半導體企業(yè)最大戰(zhàn)場之一的 DDR5 DRAM 市場正圍繞服務器用 128GB DDR5 等高容量產(chǎn)品展開,而由于三星電子和美光目前還無法生產(chǎn) 128GB DDR5 大容量 DRAM 產(chǎn)品,SK 海力士在這一領域中供應了 100% 的市場量。



SK 海力士之所以能夠這么早主導 DDR5 市場,是因為它比三星電子和美光等競爭對手更早地實現(xiàn)了高良率。一位熟悉 SK 海力士的人士表示,“以 1a 標準,SK 海力士的良率已經(jīng)達到了黃金良率。” 我們已經(jīng)到了一個階段,”他解釋道。


Shinhan Investment & Securities Research Institute 的 Koh Young-min 表示,“經(jīng)證實,SK 海力士在準備 1b-nano 方面是最先進的,這是前 3 大 DRAM 中的下一代工藝。”