旺宏（2337）搭上AI催動存儲器升級大商機，隨AI服務器搭載的高帶寬存儲器（HBM）規(guī)格從HBM3E走向更高規(guī)的HBM4 ，由于HBM4堆棧層數(shù)增加，推升編碼型快閃存儲器（NOR Flash）用量激增五成，使得NOR Flash供給開始出現(xiàn)緊張狀況，主力供應商旺宏傳因此調(diào)高明年首季報價三成。

近期存儲器市場火熱，DDR4、DDR5價格漲翻天，儲存型快閃存儲器（NAND Flash）市場一片向好，隨著NOR Flash跟上漲價潮，更加確立產(chǎn)業(yè)景氣欣欣向榮。

旺宏不回應市場傳聞，董事長吳敏求昨（10）日出席「成電論壇」受訪時強調(diào)，AI確實帶動存儲器市場向上，旺宏近期也感受到需求與價格走揚，尤其NOR Flash也大量用于服務器與數(shù)據(jù)中心，除了現(xiàn)階段的主流產(chǎn)品512Mb，有開始出現(xiàn)1Gb至2Gb的高容量需求，對旺宏有利。

外界以「進入超級循環(huán)周期」來形容存儲器市場現(xiàn)況，向來保守的吳敏求認為目前仍難斷言。他強調(diào)，價格確實在漲，也確實有缺貨現(xiàn)象，但要說缺口多大、能維持多久，現(xiàn)在都言之過早。

吳敏求分析，過去數(shù)據(jù)中心以CPU為核心，如今轉(zhuǎn)向GPU架構后，運算效能大幅提升，各大云端服務供應商（CSP）正展開數(shù)據(jù)中心改造計劃，這波AI熱潮能延續(xù)多久，仍需觀察各家投入AI的動能。

吳敏求透露，旺宏NOR Flash產(chǎn)品近期在服務器與數(shù)據(jù)中心應用出現(xiàn)回溫跡象，主要需求集中在512Mb，也有1Gb至2Gb高容量需求，預期隨著帶寬擴大、數(shù)據(jù)傳輸速率提升，未來3D NOR技術也將成為關鍵。

供應鏈指出，針對生成式AI、高效能運算（HPC）、高階顯卡和服務器等需要高效處理大型數(shù)據(jù)集和復雜運算的應用，HBM4的特性和功能至關重要。進一步來看，HBM4是目前HBM3標準的進階版，提高了數(shù)據(jù)處理速度，同時保持更高的帶寬、更低的功耗，相較于HBM3，HBM4每個堆棧的通道數(shù)將增加一倍，因此實體占用空間更大。

隨著AI服務器搭載的HBM規(guī)格從HBM3E走向HBM4，堆棧層數(shù)增加的趨勢下，推升市場對NOR Flash用量提升約50%，旺宏訂單滿手，將在明年首季調(diào)漲NOR Flash報價，漲幅上看三成，為業(yè)績吞下大補丸。

業(yè)界認為，HBM4作為新一代HBM核心升級，系統(tǒng)性能提升之際，也為NOR Flash帶來結(jié)構性需求機會，旺宏作為全球主力NOR Flash供應商，直接受惠。