隨著人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心的擴展，NAND產(chǎn)品在AI內(nèi)存市場的重要性正迅速增長。盡管與DRAM相比，AI帶來的益處曾較為有限，但企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）能夠快速處理和存儲大量數(shù)據(jù)，使得NAND價格和銷售額進入上升軌道。

行業(yè)消息人士于透露，SanDisk（閃迪）公司首席執(zhí)行官David Goeckeler在公司最近的三季度財報中表示：“明年將是數(shù)據(jù)中心NAND需求首次超過移動領(lǐng)域的第一年。”他補充道：“NAND的需求正超過供應(yīng)，這一趨勢將持續(xù)到明年年底之后。”

其他主要NAND供應(yīng)商也對市場做出了類似評估。三星電子在上個月的財報中談及NAND市場狀況時表示：“即使考慮到我們明年生產(chǎn)能力的擴張，客戶需求仍將超過供應(yīng)，導(dǎo)致供需之間存在顯著缺口。”SK海力士也表示，其明年的NAND產(chǎn)量已經(jīng)“全部售罄”，并補充道：“一些供應(yīng)商現(xiàn)在正尋求簽署長期供應(yīng)合同。”

NAND供需之間的不平衡導(dǎo)致產(chǎn)品價格不斷上漲。用于存儲卡和U盤的128Gb MLC NAND閃存固定交易價格在9月上漲了10.6%，10月進一步上漲14.9%，創(chuàng)下十年來的最大漲幅。據(jù)報道，三星電子和閃迪最近決定將NAND供應(yīng)價格提高10%。

此外，一種被稱為“HBF”的下一代存儲技術(shù)也備受關(guān)注。該產(chǎn)品通過類似高帶寬內(nèi)存（HBM）的方式堆疊NAND芯片，旨在保持HBM的優(yōu)點，同時利用NAND的特性來解決HBM的容量限制問題。SK海力士和閃迪已開始聯(lián)合開發(fā)HBF，并計劃于2027年開始生產(chǎn)。（校對/趙月）