據(jù)會上披露，2025年光谷半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將正式突破1000億元，武漢有望躋身北京、上海、深圳、無錫之后的“半導體第五城”。在這一千億規(guī)模中，硅基半導體與化合物半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模比例為4:1，化合物半導體已明確成為光谷半導體產(chǎn)業(yè)的第二發(fā)展曲線。

目前，光谷已形成以九峰山實驗室為核心、占地10平方公里的九峰山科技園，集聚長飛光纖、先導稀材等多家上下游企業(yè)，覆蓋“材料—設計—制造—封裝測試—設備”全產(chǎn)業(yè)鏈條。

在技術創(chuàng)新層面，九峰山實驗室作為核心創(chuàng)新極核，已實現(xiàn)多項全球領先突破——成功研發(fā)國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底，打破國際技術壟斷，同時推出全球首片8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，為射頻通信、自動駕駛等前沿領域提供關鍵支撐。

在產(chǎn)業(yè)落地方面，投資120億元的先導稀材高端化合物半導體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地，從簽約到實質(zhì)開工僅4個月，預計2025年底部分投產(chǎn)，將填補光通信及激光產(chǎn)業(yè)所需半導體襯底空白；長飛先進武漢基地作為國內(nèi)最大碳化硅芯片生產(chǎn)基地，已進入設備調(diào)試階段，即將實現(xiàn)量產(chǎn)通線，年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓。