臺積電已開始量產(chǎn)N2（2nm級）制程工藝芯片。正如臺積電在其2nm工藝網(wǎng)頁上發(fā)布聲明稱：“臺積電的2nm（N2）工藝已按計劃于2025年第四季度開始量產(chǎn)。”

從性能提升的角度來看，N2工藝旨在實現(xiàn)與N3E工藝相比，在相同功耗下性能提升10%~15%，功耗降低25%~30%，晶體管密度提升15%（適用于包含邏輯、模擬和SRAM的混合設(shè)計）。對于純邏輯電路設(shè)計，晶體管密度比N3E提升高達(dá)20%。

臺積電的N2工藝是該公司首個采用全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管的工藝節(jié)點。在這種結(jié)構(gòu)中，柵極完全環(huán)繞由堆疊的水平納米片形成的溝道。這種幾何結(jié)構(gòu)增強了靜電控制，減少了泄漏，并能在不犧牲性能或能效的情況下實現(xiàn)更小的晶體管尺寸，從而最終提高了晶體管密度。此外，N2還在電源傳輸網(wǎng)絡(luò)中添加了超高性能金屬-絕緣體-金屬（SHPMIM）電容器。這些電容器的電容密度比之前的SHDMIM設(shè)計高出一倍，并將片電阻（Rs）和過孔電阻（Rc）分別降低50%，從而提高了電源穩(wěn)定性、性能和整體能效。

臺積電CEO魏哲家在10月份的公司財報電話會議上表示：“N2工藝進(jìn)展順利，有望在本季度晚些時候?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)，良率良好。我們預(yù)計在智能手機(jī)和高性能計算人工智能（HPC AI）應(yīng)用的推動下，2026年產(chǎn)能將加速增長。”

值得注意的是，臺積電已開始在高雄附近的Fab 22工廠生產(chǎn)2nm芯片。此前，市場預(yù)期臺積電將在毗鄰其全球研發(fā)中心新竹Fab 20工廠開始提升N2制程的產(chǎn)能。Fab 20工廠的量產(chǎn)時間可能會稍晚一些。（校對/趙月）