在全球人工智能（AI）競賽白熱化的背景下，存儲巨頭三星電子祭出激進擴產(chǎn)計劃，意圖在高帶寬內存（HBM）這一關鍵戰(zhàn)場奪回主導權。根據(jù)韓媒《ETNews》報道，三星已決定在2026年底前，將其HBM的月產(chǎn)能大幅提升約50%，核心目標直指其最大客戶——英偉達（NVIDIA）的訂單，尤其是為下一代產(chǎn)品“HBM4”的供應鋪平道路。

據(jù)悉，三星電子計劃到2026年末，將HBM的月產(chǎn)能提升至25萬片晶圓（以12英寸晶圓計算）的水平。這一數(shù)字相較于目前約每月17萬片的產(chǎn)能，增幅高達約47%。業(yè)內消息人士透露，三星已于本月（2025年12月）做出了“積極擴大整體HBM產(chǎn)能”的最終決策，并計劃從2026年新年起啟動全面投資。

為實現(xiàn)這一雄心勃勃的產(chǎn)能目標，三星的投資將主要通過兩條路徑推進：一是將現(xiàn)有的DRAM生產(chǎn)線轉換為HBM產(chǎn)線；二是在其平澤P4工廠擴建新的專用生產(chǎn)線。半導體設備行業(yè)預計，相關的核心設備采購與安裝工作最早可能于2026年1月便開始啟動。

鎖定英偉達HBM4訂單

此次大規(guī)模擴產(chǎn)背后，是三星在HBM市場面臨的緊迫局面與重大機遇。盡管三星與主要競爭對手SK海力士的HBM理論產(chǎn)能相近（均在月產(chǎn)16-17萬片左右），但在過去一段時間，由于在英偉達供應鏈中遭遇驗證或供應難題，其實際產(chǎn)出和市場份額顯著落后于SK海力士。

然而，市場形勢在近期發(fā)生關鍵轉折。2025年10月，英偉達正式確認將在其產(chǎn)品中采用三星的HBM4。HBM4是計劃于2026年下半年發(fā)布的英偉達下一代AI芯片“Rubin”的標配內存。有消息稱，三星的HBM4在Rubin的測試芯片中表現(xiàn)優(yōu)異，獲得了積極評價。

與此同時，全球AI投資熱潮持續(xù)推高對HBM的巨量需求，市場前景極為明朗。在此背景下，三星選擇提前且激進地擴張產(chǎn)能，被業(yè)界解讀為旨在確保未來HBM4的供應能力，從而在爭奪英偉達這一核心客戶訂單的競爭中占據(jù)主動。有行業(yè)關系人士明確指出：“三星電子的此次HBM投資，據(jù)我所知是集中在HBM4上。”

三星電子發(fā)言人回應

對于三星自身的業(yè)務構成而言，HBM的戰(zhàn)略地位也日益凸顯。在AI驅動下，HBM作為高附加值產(chǎn)品，其增長遠快于傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品。三星在其2025年第三季度財報說明中已明確將“專注于擴大具有差異化性能的HBM4業(yè)務”作為應對AI需求增長的核心戰(zhàn)略之一。

對于三星的擴產(chǎn)計劃，公司官方保持了其一貫的謹慎態(tài)度。一位三星電子發(fā)言人表示，公司“正在評估各種方案以應對快速增長的HBM需求”，但拒絕對具體計劃予以確認。

隨著2026年產(chǎn)能的逐步釋放，全球AI算力的核心“糧倉”——HBM市場的供應版圖，將迎來新一輪洗牌。