國際電子商情12日訊 近日，存儲(chǔ)巨頭美光科技宣布，將于1月16日下午在美國紐約州奧農(nóng)達(dá)加縣克萊鎮(zhèn)正式啟動(dòng)巨型晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目。這項(xiàng)總投資約1000億美元的項(xiàng)目是紐約州歷史上規(guī)模最大的私人投資計(jì)劃，將分階段建設(shè)四座先進(jìn)晶圓廠，打造全球最先進(jìn)的存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造中心。

該項(xiàng)目原定于2024年中期開工，因需完成長達(dá)上萬頁的環(huán)境評(píng)估報(bào)告，工期推遲約一年半。根據(jù)最新規(guī)劃，美光科技將在3月31日前完成場(chǎng)地清理工作，隨后開展鐵路支線建設(shè)和濕地平整。首座工廠預(yù)計(jì)2030年投產(chǎn)，第二座工廠將于2033年啟用，全部四座工廠計(jì)劃在2045年建成，屆時(shí)將創(chuàng)造約9000個(gè)直接就業(yè)崗位。

美光科技首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra曾表示，該項(xiàng)目將鞏固公司作為美國唯一存儲(chǔ)器制造商的地位，助力滿足人工智能系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)芯片的快速增長需求。在拜登政府執(zhí)政期間，該公司根據(jù)《芯片法案》獲得了55億美元的稅收優(yōu)惠，此舉是其提升美國本土DRAM產(chǎn)量至全球總量40%戰(zhàn)略的重要組成部分。

市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，美光科技在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域保持重要地位。2025年第三季度，公司在全球HBM市場(chǎng)營收份額為21%，位列SK海力士（57%）和三星電子（22%）之后；在整體DRAM市場(chǎng)中，美光以26%的份額居第三位。若能達(dá)到40%的市場(chǎng)份額目標(biāo)，公司有望躍升為全球最大存儲(chǔ)芯片制造商。

財(cái)務(wù)表現(xiàn)方面，美光科技2026財(cái)年第一財(cái)季調(diào)整后營收達(dá)136.4億美元，同比增長57%，凈利潤54.82億美元。公司預(yù)計(jì)第二財(cái)季營收將達(dá)到187億美元，遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。Mehrotra指出，人工智能數(shù)據(jù)中心容量的快速增長正推動(dòng)對(duì)高性能存儲(chǔ)設(shè)備的強(qiáng)勁需求。

該項(xiàng)目被視為美光科技爭奪全球存儲(chǔ)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位的關(guān)鍵舉措。通過建設(shè)先進(jìn)制造基地，公司計(jì)劃大幅提升在DRAM等核心產(chǎn)品領(lǐng)域的產(chǎn)能，應(yīng)對(duì)人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)Υ鎯?chǔ)芯片持續(xù)增長的需求。隨著項(xiàng)目推進(jìn)，美光科技有望進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的競爭地位。