最新市場數據顯示，今年2 月存儲現貨價格整體上揚，其中NAND 快閃存儲晶圓漲幅最明顯。專家最新示警，隨著供需之間缺口持續(xù)擴大，現貨價格快速攀升，采購資金壓力同步增加，若趨勢不變，業(yè)界恐面臨周期性崩潰風險。

具體來看，DDR5 16G(2Gx8) 芯片均價升至39 美元，月增7.4%，1Tb TLC 快閃晶圓漲25% 至25 美元，成為月度漲幅冠軍。雖然春節(jié)假期使2 月中的交易降溫，但假期后市場迅速回溫，價格持續(xù)向上。

DDR4 表現則較分化，16Gb(2Gx8) 幾乎持平，僅微漲0.26% 至78.1 美元，8Gb(1Gx8) 上漲6.8% 至33 美元。相較今年1 月普遍20 至30% 漲幅，DDR4 明顯放緩，DDR3 4Gb(512Mx8) 則上漲7.5% 至5.70 美元，專家認為此現象多屬季節(jié)性因素，非市場壓力緩解。

與此同時，合約價格預期也大幅上調。 TrendForce 上月初將2026 年第一季傳統(tǒng)DRAM 合約價漲幅由55% 至60% 上修至90% 至95%，PC DRAM 更預估季增翻倍，創(chuàng)新紀錄，NAND 合約價則由33% 至38% 上調至55% 至60%。

推升價格的主因是AI 基礎建設帶動服務器DRAM 與HBM 需求，持續(xù)吸納產能，使傳統(tǒng)DRAM 與消費級NAND 供應吃緊。

在NAND 市場，2 月現貨漲價僅是長期趨勢一環(huán)，自去年10 月以來，1Tb QLC/TLC 晶圓價格已飆漲約三倍，512Gb TLC 更猛漲近五倍，主因是廠商將更多產能轉向高利潤企業(yè)級SSD，壓縮模組廠的晶圓供應，持續(xù)推高市場價格。