今年全國兩會，全國人大代表、中國科學(xué)院院士郝躍就集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來相關(guān)建議。郝躍在接受《中國科學(xué)報》采訪時表示，既要聚焦核心關(guān)鍵的“卡脖子”難題，破解半導(dǎo)體芯片發(fā)展中的底層技術(shù)瓶頸；更要重視那些我國已處于國際并跑甚至局部領(lǐng)跑位置的領(lǐng)域，通過強化優(yōu)勢，搶占全球產(chǎn)業(yè)的前排位置。

“‘十五五’將是我國集成電路產(chǎn)業(yè)從跟隨轉(zhuǎn)向引領(lǐng)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折期，也是在一些新興賽道上確立國際領(lǐng)先地位的重要窗口。”郝躍說。

在他看來，第三代半導(dǎo)體（氮化鎵、碳化硅等）、第四代半導(dǎo)體（如氧化鎵、金剛石、氮化鋁等超寬禁帶半導(dǎo)體）、光子芯片、低維半導(dǎo)體信息材料與器件等領(lǐng)域，目前我國已具備較好的國際競爭力，只要持續(xù)發(fā)力，極有可能在細分賽道上實現(xiàn)全球領(lǐng)跑。

郝躍（左四）及團隊在實驗室。受訪者供圖

如何把優(yōu)勢真正落地？郝躍認為，必須結(jié)合本土資源與產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，圍繞后摩爾時代的產(chǎn)業(yè)趨勢，發(fā)揮好我國的獨特稟賦。

“我國掌握著全球95%以上的鎵資源，且對鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵材料已實施出口管制，這是其他國家不具備的產(chǎn)業(yè)籌碼。”他建議，依托這一稀有資源稟賦，推動化合物半導(dǎo)體、光電顯示、新型傳感器等產(chǎn)業(yè)形成規(guī)模化、高競爭力的全球布局。

在新興存儲器領(lǐng)域，郝躍也持相對樂觀的判斷。他表示，我國在Flash閃存、鐵電存儲器、磁電存儲器（MRAM）、相變存儲器（PCM）等方面已有不錯的技術(shù)積累，在全球已有重要影響，只要持續(xù)推進技術(shù)迭代和產(chǎn)業(yè)化落地，就能牢牢把握主動權(quán)。

不過，郝躍也直言當(dāng)前產(chǎn)業(yè)支持機制中還存在一定的短板。他指出，例如集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）的投資風(fēng)格偏謹慎，資金更多流向較成熟期或臨近上市的企業(yè)，屬于“錦上添花”，而新興領(lǐng)域支持不足。比如對第四代半導(dǎo)體、低維材料和新型存儲器等領(lǐng)域可加大支持力度。他建議，針對那些我國已有技術(shù)優(yōu)勢的方向，加大投入、加速轉(zhuǎn)化，“既要‘錦上添花’，更需要‘雪中送炭’”。

產(chǎn)業(yè)發(fā)展離不開人才支撐，尤其面向“十五五”及未來，培養(yǎng)符合產(chǎn)業(yè)需求的創(chuàng)新型人才是當(dāng)務(wù)之急。郝躍表示，在國家相關(guān)部門對電子信息領(lǐng)域緊缺人才培養(yǎng)相關(guān)政策措施支持下，例如設(shè)立專門的人才培養(yǎng)指標(biāo)，開辟更多培養(yǎng)渠道，優(yōu)化集成電路、微電子等專業(yè)的培養(yǎng)機制等，集成電路的人才需求已經(jīng)有了明顯的改善。“進一步，大學(xué)應(yīng)從科教融合、產(chǎn)教融合、國際合作等方面入手，注重培養(yǎng)學(xué)生的責(zé)任感、創(chuàng)新思維、批判性思維和團隊協(xié)作能力，鼓勵他們聚焦產(chǎn)業(yè)真問題開展研究，把實操能力和創(chuàng)新能力結(jié)合起來，最終培養(yǎng)出真正符合產(chǎn)業(yè)需求的復(fù)合型人才。”