三星電子已在其位于中國(guó)西安的工廠開(kāi)始量產(chǎn)第八代236層NAND閃存（V8），這標(biāo)志著該公司向更高層數(shù)存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)型邁出關(guān)鍵一步，以滿足人工智能（AI）應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。

三星已使用236層產(chǎn)品取代原有的第六代128層NAND閃存（V6），并正在逐步提高產(chǎn)量。此次轉(zhuǎn)型反映了老一代NAND產(chǎn)品被逐步淘汰。

通過(guò)堆疊存儲(chǔ)單元實(shí)現(xiàn)更高的層數(shù)，可以提高存儲(chǔ)密度和效率。三星此前一直在西安工廠生產(chǎn)128層NAND閃存，但隨著市場(chǎng)對(duì)舊產(chǎn)品的需求疲軟，該公司開(kāi)始向新技術(shù)轉(zhuǎn)型。

三星計(jì)劃在2026年之前完成西安第二工廠向第九代286層NAND閃存（V9）的過(guò)渡，并開(kāi)始全面量產(chǎn)。該公司還在其韓國(guó)工廠準(zhǔn)備生產(chǎn)400層以上的下一代NAND閃存（V10）技術(shù)。

據(jù)G-enews援引監(jiān)管文件和行業(yè)數(shù)據(jù)報(bào)道，三星2025年在西安NAND閃存生產(chǎn)線投資4654億韓元（約合3.2億美元），較上年增長(zhǎng)67.5%。該工廠的產(chǎn)能約占三星NAND閃存總產(chǎn)量的40%，也是其唯一的海外NAND閃存生產(chǎn)基地。

業(yè)內(nèi)人士表示，供應(yīng)趨緊，一些估計(jì)表明DRAM和NAND閃存的計(jì)劃產(chǎn)量已基本售罄。瑞銀預(yù)測(cè)，在AI相關(guān)需求的推動(dòng)下，到2026年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模可能超過(guò)1萬(wàn)億美元。

三星加速轉(zhuǎn)型也反映了地緣政治和供應(yīng)鏈方面的制約因素。業(yè)內(nèi)人士表示，美國(guó)收緊對(duì)中國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口的限制，使得將尖端設(shè)備引入中國(guó)變得更加復(fù)雜。

盡管三星擁有“認(rèn)證最終用戶”（VEU）資格，在設(shè)備出貨方面享有一定的靈活性，但現(xiàn)在必須每年重新獲得審批，這增加了運(yùn)營(yíng)的不確定性。

與此同時(shí)，用于AI基礎(chǔ)設(shè)施的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）需求持續(xù)增長(zhǎng)，推動(dòng)了對(duì)更高性能NAND閃存的需求。（校對(duì)/趙月）