4月1日，斯達(dá)半導(dǎo)發(fā)布2025年度業(yè)績快報(bào)公告。數(shù)據(jù)顯示，公司2025年度營業(yè)總收入為401,239.61萬元，同比增長18.34%，創(chuàng)歷史新高。

公告顯示，2025年度公司營業(yè)利潤為44,335.22萬元，同比下降26.89%；利潤總額為44,213.9萬元，同比下降27.09%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為40,513.69萬元，同比下降20.2%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤為37,705.02萬元，同比下降22.64%。基本每股收益為1.69元，上年同期為2.12元；加權(quán)平均凈資產(chǎn)收益率為5.96%，較上年同期減少1.84個(gè)百分點(diǎn)。

截至2025年末，公司總資產(chǎn)為1,056,509.68萬元，較期初增長9.53%；歸屬于上市公司股東的所有者權(quán)益為693,732.14萬元，較期初增長3.82%；歸屬于上市公司股東的每股凈資產(chǎn)為28.97元，較期初增長3.82%。

公司表示，報(bào)告期內(nèi)營業(yè)收入實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長，新能源汽車、新能源發(fā)電（風(fēng)光儲(chǔ)）、變頻白色家電行業(yè)的需求快速增長為公司報(bào)告期收入增長提供核心支撐。同時(shí)，公司積極開拓AI服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)機(jī)器人、低空/高空飛行器等新興應(yīng)用領(lǐng)域，持續(xù)拓展產(chǎn)品應(yīng)用邊界。

公司指出，報(bào)告期內(nèi)利潤指標(biāo)同比有所下滑，主要原因包括：一是公司持續(xù)加大研發(fā)投入，重點(diǎn)開展下一代IGBT、快恢復(fù)二極管、SiC MOSFET、GaN等功率芯片和模塊，以及驅(qū)動(dòng)IC、工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)MCU等核心產(chǎn)品研發(fā)，報(bào)告期研發(fā)費(fèi)用同比增加12,732.98萬元，同比增長35.94%；二是受部分下游行業(yè)市場競爭加劇、原材料成本上漲等因素影響，公司綜合毛利率同比有所下滑。