據(jù)韓媒ChosunBiz援引業(yè)內(nèi)人士報(bào)道，三星電子計(jì)劃于5月正式生產(chǎn)首批HBM4E內(nèi)存性能樣品。這將為三星HBM4E在2027年至2028年大規(guī)模供應(yīng)奠定基礎(chǔ)，并進(jìn)一步鞏固其在英偉達(dá)（NVIDIA）供應(yīng)鏈中的核心地位。

根據(jù)三星內(nèi)部時(shí)間規(guī)劃，5月中旬將成為HBM4E研發(fā)進(jìn)程中的關(guān)鍵分水嶺。屆時(shí)，三星晶圓代工部門將率先完成HBM4E核心邏輯芯片（Base Die）的生產(chǎn)，隨后將其交付給存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)部門，進(jìn)行后續(xù)的3D堆疊封裝工序。

與今年3月在NVIDIA GTC 2026大會(huì)上展示的僅用于技術(shù)驗(yàn)證的演示樣品不同，此次5月生產(chǎn)的樣品將是首批符合客戶性能要求的工程樣品。在完成內(nèi)部嚴(yán)格的性能評估且各項(xiàng)指標(biāo)達(dá)標(biāo)后，這些樣品將被送往英偉達(dá)進(jìn)行進(jìn)一步驗(yàn)證。

在技術(shù)規(guī)格方面，三星HBM4E延續(xù)了HBM4的架構(gòu)優(yōu)勢，采用1c nm DRAM Die和4nm Base Die工藝。雖然制程節(jié)點(diǎn)未變，但三星在工藝細(xì)節(jié)上進(jìn)行了精心優(yōu)化，顯著提升了信號完整性和整體性能。據(jù)披露，HBM4E的單引腳數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)16Gbps，整體帶寬突破4.0TB/s，相比現(xiàn)有的HBM4產(chǎn)品，傳輸速度提升37%，帶寬增加21%。

當(dāng)前，HBM4作為第六代產(chǎn)品，正處于大規(guī)模鋪貨的前夜。三星已于今年2月宣布HBM4量產(chǎn)，其11.7Gbps的處理速度遠(yuǎn)超業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)。然而，面對英偉達(dá)下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”的嚴(yán)苛要求，僅僅依靠HBM4是不夠的。

HBM4E作為HBM4的增強(qiáng)版，承上啟下，既是對現(xiàn)有工藝的極致挖掘，也是通往未來HBM5的必經(jīng)之路。對于三星而言，拿下HBM4E的首供資格，意味著鎖定了未來兩代AI芯片的“入場券”。

三星此次加速HBM4E的研發(fā)與送樣，背后是激烈的市場競爭。目前，全球HBM市場主要由三星、SK海力士和美光三家壟斷。此前，SK海力士憑借在HBM3E時(shí)代的先發(fā)優(yōu)勢，在英偉達(dá)供應(yīng)鏈中占據(jù)了領(lǐng)先地位。

為了扭轉(zhuǎn)局勢，三星采取了更為激進(jìn)的策略。除了在GTC 2026上首發(fā)HBM4E概念外，三星還充分利用了其垂直整合（IDM）的優(yōu)勢——即同時(shí)擁有晶圓代工和存儲(chǔ)器生產(chǎn)能力。這種模式使得三星能夠更快速地協(xié)調(diào)Base Die與DRAM Die的匹配，縮短從設(shè)計(jì)到成品的交付周期。

與此同時(shí)，競爭對手SK海力士也在全力反擊。據(jù)悉，SK海力士計(jì)劃在2026年陸續(xù)推出8層、12層和16層的HBM4E產(chǎn)品，并優(yōu)先考慮在邏輯芯片上應(yīng)用臺積電的3nm工藝，試圖通過更先進(jìn)的制程來實(shí)現(xiàn)彎道超車。

隨著英偉達(dá)“Vera Rubin”平臺的臨近，AI芯片對內(nèi)存帶寬的需求正逼近4TB/s的關(guān)口。三星計(jì)劃在2026年下半年實(shí)現(xiàn)HBM4E的批量生產(chǎn)，并目標(biāo)在2027年占據(jù)全球HBM4E市場份額的50%以上。與此同時(shí)，三星已著手布局HBM5，計(jì)劃于2028年推出樣品，采用更精細(xì)的1d DRAM工藝和2nm制程。