• 公司正式量產(chǎn)192GB的大容量產(chǎn)品，面向英偉達(dá)Vera Rubin平臺(tái)設(shè)計(jì)

• 搭載基于1c納米工藝的高集成度DRAM，實(shí)現(xiàn)能效最大化

• “通過(guò)與英偉達(dá)緊密合作，緩解AI基礎(chǔ)設(shè)施的瓶頸問(wèn)題，提供最優(yōu)性能”

韓國(guó)首爾，2026年4月20日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）20日宣布，公司正式量產(chǎn)基于第六代10納米級(jí)（1c）LPDDR5X低功耗DRAM的192GB（千兆字節(jié)）容量SOCAMM2產(chǎn)品。

SOCAMM2*是一款將主要適用于智能手機(jī)等移動(dòng)端設(shè)備的低功耗內(nèi)存，針對(duì)服務(wù)器環(huán)境進(jìn)行優(yōu)化的內(nèi)存模塊，主要面向下一代AI服務(wù)器等應(yīng)用場(chǎng)景。

* SOCAMM2（Small Outline Compression Attached Memory Module 2）：一種基于低功耗DRAM的內(nèi)存模塊，具備厚度薄與可擴(kuò)展性等特性，特別適用于AI服務(wù)器。該產(chǎn)品采用壓縮式連接器，可提升信號(hào)完整性且易于更換。

SK海力士表示：“公司采用1c工藝的SOCAMM2，是專(zhuān)為高性能AI運(yùn)算優(yōu)化的解決方案。與傳統(tǒng)的RDIMM*相比，其帶寬提升逾兩倍，功耗降低75%以上。”

* 寄存雙列直插式內(nèi)存模塊（RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module）：在存儲(chǔ)器模塊的內(nèi)存控制器與DRAM芯片之間增加可中繼地址、命令信號(hào)的寄存器（Register）或時(shí)鐘緩沖器（Buffer），適用于服務(wù)器和工作站的DRAM模塊。

公司特別強(qiáng)調(diào)，該SOCAMM2產(chǎn)品是面向英偉達(dá)的Vera Rubin*平臺(tái)設(shè)計(jì)的。

* 英偉達(dá)Vera-Rubin介紹網(wǎng)頁(yè)：https://www.nvidia.com/en-us/data-center/technologies/rubin/ 

此外，該產(chǎn)品可從根本上緩解數(shù)千億參數(shù)級(jí)AI大模型在訓(xùn)練與推理過(guò)程中所面臨的存儲(chǔ)瓶頸*問(wèn)題，SK海力士期待其助力能夠大幅提升整體系統(tǒng)的處理速度。

* 瓶頸（Bottleneck）：指因某些特定零部件的處理能力受限，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)性能下降的現(xiàn)象。AI運(yùn)算過(guò)程中，若存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)傳輸速度滯后于GPU運(yùn)算速度，便會(huì)引發(fā)此現(xiàn)象。

公司還表示：“隨著AI發(fā)展從訓(xùn)練轉(zhuǎn)向推理階段，支持大型語(yǔ)言模型低功耗運(yùn)行的SOCAMM2作為下一代存儲(chǔ)器解決方案，正備受矚目。為滿(mǎn)足全球云服務(wù)供應(yīng)商（Cloud Service Provider）客戶(hù)需求，公司提前搭建起穩(wěn)定的量產(chǎn)體系。”

SK海力士AI Infra擔(dān)當(dāng)金柱善社長(zhǎng)（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“通過(guò)192GB容量SOCAMM2的產(chǎn)品供應(yīng)，公司建立了面向AI的存儲(chǔ)器性能新基準(zhǔn)。公司將與全球AI客戶(hù)緊密合作，成為‘客戶(hù)最信賴(lài)的面向AI的存儲(chǔ)器解決方案企業(yè)’。”