對于英特爾來說，當下在半導體工藝局面中逐漸陷入被動。不過近日，英特爾的2nm工藝Fab20獲批，將實現(xiàn)工藝突破。

據(jù)悉，英特爾Fab20工藝的工廠共分為4期，其中前兩期將在2023年下半年完工，并實現(xiàn)作業(yè)，將于2024年下半年實現(xiàn)量產。預計在2025年至2026年實現(xiàn)4期工廠竣工，月總量產將超過10萬片。

此外，臺積電也將在未來幾年推出2nm工藝，不過當前并沒有具體的規(guī)格曝光。不過目前可以得知，臺積電的2nm技術也將采用GAA晶體管，并且臺積電還開發(fā)了nanosheet納米片技術，能夠更好的控制閾值電壓，使其波動降低15%，進一步增加芯片的性能。同時，三星也將在2024年量產3nm工藝，也將使用GAA晶體管工藝，大幅度提升芯片性能。