日本免费在线一区二区-国产欧美日韩一区在线-国产男女猛烈无遮挡性视频网站-人妻内射视频免费看-女自慰喷水自慰不卡无广告-女生被男生操喷水的视频在线看-黑夜在线拖拽不卡第一页-av一区二区三区亚洲-亚洲国产精品成人婷婷色

歡迎訪問深圳市中小企業(yè)公共服務平臺電子信息窗口

三星:3nmGAA研發(fā)進度領先臺積電,將盡早商業(yè)化

2021-08-27 來源:界面新聞
5396

關鍵詞: 三星 3nm GAA 研發(fā)

8月26日消息,據(jù)韓媒Business Korea報道,三星電子裝置解決方案事業(yè)部門技術長Jeong Eun-seung周三(25日)在一場網絡技術論壇中表示,三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前,宣布GAA技術商業(yè)化。


他說,“我們開發(fā)中的GAA技術,領先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項技術,我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長。”


據(jù)報道,GAA是3納米制程的關鍵。GAA技術的優(yōu)點在于改變電晶體架構,將之由鰭式場效電晶體(FinFET)的3D轉為GAA的4D。


G7.jpg


行業(yè)分析師指出,誰先將首先將GAA技術商業(yè)化,還有待進一步觀察。這是因為臺積電在早期也積極將該技術商業(yè)化。2011年至2020年間,全球31.4%的GAA專利來自臺積電,三星電子的GAA專利占20.6%。


三星電子表示,其在技術上與臺積電并駕齊驅。Jeong Eun seung指出,三星的晶圓代工事業(yè)2017年才開始,不過我們將憑借在存儲芯片領域的技術根基,超越臺積電。他舉例三星曾在臺積電之前,就開發(fā)了一款搭載FinFET技術的14MHz產品。