近日，全球半導(dǎo)體設(shè)備巨頭ASML（阿斯麥）在第一季度財報電話會議上釋放了強烈的市場信號。面對人工智能（AI）引爆的芯片需求狂潮，ASML正式確立了“產(chǎn)能倍增”戰(zhàn)略，明確表示將消除EUV光刻設(shè)備可能成為行業(yè)瓶頸的隱憂。

ASML首席執(zhí)行官克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在會上定調(diào)：ASML將通過產(chǎn)能擴張與技術(shù)迭代的雙重引擎，確保半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。

作為全球唯一的EUV光刻機供應(yīng)商，ASML的產(chǎn)能直接決定了全球先進制程芯片的供給上限。富凱在會議上給出了明確的產(chǎn)能路線圖：ASML計劃在2026年將低數(shù)值孔徑（Low-NA）EUV系統(tǒng)的出貨量提升至至少60臺，并在此基礎(chǔ)上進一步發(fā)力，目標(biāo)在2027年將這一數(shù)字提升至至少80臺。

這一數(shù)據(jù)相較于2025年的44臺出貨量實現(xiàn)了翻倍增長，直接回應(yīng)了市場對“設(shè)備短缺”的焦慮。富凱強調(diào)，公司并不認(rèn)為其工具會成為制約半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的瓶頸，ASML擁有多種手段，可通過與客戶的密切合作來確保穩(wěn)定的供應(yīng)。

支撐這一激進擴產(chǎn)計劃的底氣，來自于供應(yīng)鏈韌性的顯著增強。ASML首席財務(wù)官羅杰·達(dá)森（Roger Dassen）透露，此前困擾行業(yè)的零部件短缺問題——尤其是與卡爾蔡司（Zeiss）光學(xué)元件供應(yīng)相關(guān)的挑戰(zhàn)——已得到有效解決。目前，ASML的生產(chǎn)目標(biāo)已明確為每年90套Low-NA EUV系統(tǒng)和600套深紫外（DUV）系統(tǒng)。為了保持靈活性，公司不僅加強了產(chǎn)能和庫存水平，還在荷蘭總部附近購置了新土地，為未來的工廠擴建做好了準(zhǔn)備。

在現(xiàn)有設(shè)備的優(yōu)化上，ASML旗艦機型NXE:3800E的制造工藝得到改進，生產(chǎn)周期縮短，組裝和測試速度加快。更關(guān)鍵的是，設(shè)備生產(chǎn)效率（Throughput）得到實質(zhì)性提升，晶圓吞吐量已從每小時220片提升至230片。這意味著，客戶無需增加昂貴的設(shè)備采購數(shù)量，僅通過現(xiàn)有產(chǎn)線的效率升級，也可以獲得額外產(chǎn)能。

ASML披露了更為詳盡的產(chǎn)品路線圖，展示了其在光刻技術(shù)上的長期野心：

·Low-NA EUV路線：ASML計劃在2027年推出NXE:3800F，吞吐量超過260片/小時；2029年推出NXE:4200G，吞吐量突破300片/小時；并計劃在2031年推出NXE:4200H，實現(xiàn)每小時330片的驚人速度。

·High-NA EUV路線：面向2nm及以下（A16）制程的NXE:5200C將于2027年面世，吞吐量在160至190片/小時之間；2029年推出EXE:5200D，主要面向A14制程，量為大于等于175片/小時或195片/小時；2031年推出EXE:5400E，面向A10及以下制程，量為大于等于180片/小時或210片/小時。

ASML指出，High-NA技術(shù)不僅能提供更高的分辨率，還能顯著簡化制造流程。據(jù)DRAM和邏輯客戶的反饋，采用High-NA技術(shù)后，所需的掩模版數(shù)量可從3張減少到1張，工藝步驟更是從100步大幅壓縮至10步。

光刻膠合作伙伴的研究顯示，High-NA EUV已具備擴展至邏輯芯片18nm線寬/間距、存儲芯片28nm接觸孔尺寸的能力。這意味著，盡管High-NA設(shè)備單價高昂，但其在掩模版成本、工藝復(fù)雜度和良率控制上的優(yōu)勢，將為2nm及以下制程的量產(chǎn)提供極高的經(jīng)濟價值。