DTS vs 杜比：沉浸式音頻技術(shù)怎么選？
看電影時總糾結(jié) “選杜比全景聲還是 DTS:X”？玩游戲聽不出 “空間音效” 的差別？買回音壁時被 “Dolby TrueHD”“DTS-HD MA” 等術(shù)語搞暈？作為音頻領(lǐng)域的兩大巨頭，DTS 和杜比從影院走向家庭，早已滲透到我們的藍光機、功放、耳機甚至汽車里。今天就從發(fā)展歷史、核心特性、設(shè)備適配三方面，幫你一文讀懂兩者的差異，選對適合自己的音頻技術(shù)！
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音頻中ADC/DAC/和采樣率關(guān)系
要理解音頻領(lǐng)域的 ADC、DAC 和 采樣率，需先明確一個核心前提：現(xiàn)實世界中的聲音（如人聲、樂器聲）是模擬信號（連續(xù)變化的電信號），而手機、電腦、播放器等數(shù)字設(shè)備只能處理數(shù)字信號（離散的 0 和 1 代碼）。ADC 和 DAC 是連接 “模擬聲音” 與 “數(shù)字設(shè)備” 的關(guān)鍵橋梁，采樣率則是決定 “數(shù)字信號還原模擬聲音精度” 的核心指標。下面從定義、原理、應用場景三方面詳細拆解 -
MCU的分類？TMS320F28P55x系列如何實現(xiàn)實時控制？
TMS320F28P55x系列是德州儀器推出的MCU產(chǎn)品，一經(jīng)推出得到了業(yè)界的廣泛好評。為增進大家對TMS320F28P55x系列MCU的認識，本文將對MCU的分類、TMS320F28P55x系列MCU邊緣AI實時控制予以介紹。 -
電容在電源電路、音頻電路、射頻電路中的作用
電容描述的是器件儲存電荷的能力。電容的定義是器件的電荷量與電勢之比，常用C表示。電容的量綱是L-2M-1T4I2，國際單位制下單位是F(法拉)。電容器是一種基本的線性電子元件。電容器在電源濾波、信號濾波、信號耦合、諧振、濾波、補償、充放電、儲能、隔離直流電路中都有應用。 電子產(chǎn)品，電容無疑是一種不可或缺的器件，其廣泛應用于電源電路、音頻電路以及射頻電路等多個領(lǐng)域。接下來，我們將深入探討電容的基礎(chǔ)知識，帶你全面了解這一關(guān)鍵電子元件。電容，英文為“Capacitance”，也常被稱作“電容量”，它衡量的是在特定電位差下，電荷的儲存量。這一物理量以C表示，其國際單位是法拉(F)。簡單來說，當電荷在電場中受到力的作用而發(fā)生移動時，若導體間存在介質(zhì)，便會阻礙電荷的移動，導致電荷在導體上累積，這種現(xiàn)象即為電容的形成。電容的計算公式為：C=εS/4πkd。其中，ε代表介電常數(shù)，S是電容極板的正對面積，d是極板間的距離，而k則是靜電力常量。特別地，對于平行板電容器而言，其電容可簡化為C=εS/d，其中ε為極板間介質(zhì)的介電常數(shù)，S為極板面積，d為極板間的距離。 -
輸出電容的ESR與紋波抑制：陶瓷電容/電解電容的頻響特性的對比
在開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高頻電力電子系統(tǒng)中，輸出電容的等效串聯(lián)電阻(ESR)與紋波抑制能力直接決定電源的穩(wěn)定性與壽命。陶瓷電容與電解電容作為兩大主流選擇，其頻響特性與壽命表現(xiàn)存在顯著差異。本文從ESR的物理本質(zhì)、頻響特性、紋波抑制機制及壽命影響因素四個維度展開對比分析，揭示二者在高頻濾波場景中的協(xié)同應用邏輯。 -
MOS管應用中，常見的各種‘擊穿’現(xiàn)象
mos管也稱場效應管，這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。MOSFET是一種場效應晶體管(利用電場控制電流)，由金屬氧化物半導體制成，是目前使用最廣泛的生產(chǎn)技術(shù)。在功率MOSFET領(lǐng)域，碳化硅(SiC)也被使用，因為它是電源、逆變器和其他應用所需的更高性能和效率的理想選擇。東芝多年來一直致力于MOSFET的開發(fā)和生產(chǎn)，我們廣泛的低中高耐壓設(shè)備產(chǎn)品線具有低損耗、高速度、低導通電阻和小封裝等特點—適合各種應用的MOSFET。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質(zhì))。器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。 -
音頻瞬態(tài)如何處理
多音樂制作人在混音時都會遇到一個問題：明明樂器、人聲都錄得不錯，混出來卻總覺得 底鼓渾濁聽不清，軍鼓軟趴沒爆發(fā)力，人聲輔音模糊沒質(zhì)感。其實，你可能忽略了一個關(guān)鍵細節(jié)：音頻瞬態(tài)。 作為聲音開頭那幾毫秒的 “能量爆發(fā)”，瞬態(tài)直接決定了聲音的沖擊力、清晰度和靈動感。無論是激進的電子鼓點，還是柔和的氛圍音效，搞定瞬態(tài)，就能讓你的音樂質(zhì)感翻倍。本文從基礎(chǔ)概念到實戰(zhàn)技巧，手把手教你搞定不同場景、不同流派的瞬態(tài)處理，新手也能輕松上手 -
200W 以上功放芯片應用介紹和發(fā)展趨勢
200W 以上功放芯片主要通過拓撲優(yōu)化、高功率器件、強化散熱及集成保護實現(xiàn)，TI 和 ST 均有針對性型號，后續(xù)將向 “高效材料 + 高度集成 + 超低低耗” 方向發(fā)展。 -
GaN（氮化鎵）與硅基功放芯片的優(yōu)劣勢解析及常見型號
GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導體（禁帶寬度 1.1 eV），二者在功放芯片中的性能差異源于材料物理特性 -
預補償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲
Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。 然而，在放大器啟動或關(guān)閉時，以及在靜音 / 取消靜音 切換期間，揚聲器中經(jīng)常會出現(xiàn)爆裂聲或點擊聲。這些 噪音可能會被聽到，并使用戶感到不適。在音頻系統(tǒng)中 靜音功率放大器是避免在啟動或關(guān)閉期間出現(xiàn)爆裂聲的有效方法。此外，音頻系統(tǒng)有時播放音樂，有時停止播放，這需要頻繁地靜音或取消靜音放大器。因此，爆裂聲是頻繁靜音和取消靜音控制的關(guān)鍵問題。本文討論了 靜音 / 取消靜音過渡期間爆裂聲的發(fā)生原因，并設(shè)計了 相應的方法來抑制這些噪音。 簡介 高效率和小尺寸的特點使 Class D 功率放大器非常 適合用于高功率音頻系統(tǒng)。圖 1 是使用 Class D 功率放大器的典型音頻系統(tǒng)。音頻處理器將音頻信號傳送到功率放大器，同時它還可以控制功率放大器的啟動和關(guān)閉。 -
為什么要進行芯片測試以及分別在什么階段進行
芯片測試是一個比較大的問題，直接貫穿整個芯片設(shè)計與量產(chǎn)的過程中。首先芯片fail可以是下面幾個方面： 功能fail，某個功能點點沒有實現(xiàn)，這往往是設(shè)計上導致的，通常是在設(shè)計階段前仿真來對功能進行驗證來保證，所以通常設(shè)計一塊芯片，仿真驗證會占用大約80%的時間。 性能fail，某個性能指標要求沒有過關(guān)，比如2G的cpu只能跑到1.5G，數(shù)模轉(zhuǎn)換器在要求的轉(zhuǎn)換速度和帶寬的條件下有效位數(shù)enob要達到12位，卻只有10位，以及l(fā)na的noise figure指標不達標等等。這種問題通常是由兩方面的問題導致的，一個是前期在設(shè)計系統(tǒng)時就沒做足余量，一個就是物理實現(xiàn)版圖太爛。這類問題通常是用后仿真來進行驗證的 -
