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聯(lián)發(fā)科：采用臺(tái)積電3納米制程生產(chǎn)的芯片已成功流片，預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)

2023-09-07 來(lái)源： 界面新聞
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關(guān)鍵詞： 臺(tái)積電 芯片 聯(lián)發(fā)科

據(jù)聯(lián)發(fā)科官網(wǎng)消息，9月7日，聯(lián)發(fā)科與臺(tái)積電共同宣布，聯(lián)發(fā)科首款采用臺(tái)積電3納米制程生產(chǎn)的天璣旗艦芯片日前已成功流片，預(yù)計(jì)將在明年量產(chǎn)。


據(jù)介紹，相較于5納米制程，臺(tái)積電3納米制程技術(shù)的邏輯密度增加約60%，在相同功耗下速度提升18%，或者在相同速度下功耗降低32%。


聯(lián)發(fā)科表示，首款采用臺(tái)積電3納米制程的天璣旗艦芯片將于2024年下半年上市。